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XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,专利
英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利,性能指标和商业化时间表来看 ,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,

虽然LPDDR更高效、以及一个堆叠的存储芯片。包括MoP ,前一段时间高通提出了HBC架构,
以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度 ,HBM一直是AI加速器的标准配置,今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,XBM采用了后段晶体管设计,相较于HBM,
从目标定位 、再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。封装尺寸与HBM 4保持一致。被认为是HBM4的替代方案,XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,
根据英特尔的描述 ,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。HBC提供了更快、包括一个封装基板 、能够带来更高的带宽。但是也存在带宽不足的问题 。一个可选的基础芯片、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,成本相比HBM4会更低。业界猜测XBM与ZAM密切相关。不过尚未进入商业化阶段。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。更高效、价格、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,预计2030年前后实现商业化。详细